![PPT - Pokročilá fyzika C803 fI Ip _04 Elektrická vodivost v polovodičích PowerPoint Presentation - ID:4606817 PPT - Pokročilá fyzika C803 fI Ip _04 Elektrická vodivost v polovodičích PowerPoint Presentation - ID:4606817](https://image2.slideserve.com/4606817/pokro-il-fyzika-c803-fi-ip-04-elektrick-vodivost-v-polovodi-ch-n.jpg)
PPT - Pokročilá fyzika C803 fI Ip _04 Elektrická vodivost v polovodičích PowerPoint Presentation - ID:4606817
![Anihilace pozitronů v polovodičích záchyt pozitronů ve vakancích mechanismy uvolnění vazebné energie: 1. tvorba páru elektron-díra 2. ionizace vakance3. - ppt stáhnout Anihilace pozitronů v polovodičích záchyt pozitronů ve vakancích mechanismy uvolnění vazebné energie: 1. tvorba páru elektron-díra 2. ionizace vakance3. - ppt stáhnout](https://slideplayer.cz/3390349/11/images/slide_1.jpg)
Anihilace pozitronů v polovodičích záchyt pozitronů ve vakancích mechanismy uvolnění vazebné energie: 1. tvorba páru elektron-díra 2. ionizace vakance3. - ppt stáhnout
![Polovodič - měrný odpor 10 -1 Ω -1 m -1 - 10 4 Ω -1 m -1 závisí na teplotě, na poruchách krystalové mříže koncentraci příměsí, na el. a mag. poli, na záření. - ppt stáhnout Polovodič - měrný odpor 10 -1 Ω -1 m -1 - 10 4 Ω -1 m -1 závisí na teplotě, na poruchách krystalové mříže koncentraci příměsí, na el. a mag. poli, na záření. - ppt stáhnout](https://slideplayer.cz/4089107/12/images/slide_1.jpg)
Polovodič - měrný odpor 10 -1 Ω -1 m -1 - 10 4 Ω -1 m -1 závisí na teplotě, na poruchách krystalové mříže koncentraci příměsí, na el. a mag. poli, na záření. - ppt stáhnout
![Polovodič - měrný odpor 10 -1 Ω -1 m -1 - 10 4 Ω -1 m -1 závisí na teplotě, na poruchách krystalové mříže koncentraci příměsí, na el. a mag. poli, na záření. - ppt stáhnout Polovodič - měrný odpor 10 -1 Ω -1 m -1 - 10 4 Ω -1 m -1 závisí na teplotě, na poruchách krystalové mříže koncentraci příměsí, na el. a mag. poli, na záření. - ppt stáhnout](https://images.slideplayer.cz/12/4089107/slides/slide_2.jpg)